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首頁晶振行業動態 電路中的外部32.768KHZ晶體振蕩器布局

電路中的外部32.768KHZ晶體振蕩器布局

來源:http://www.sdyoujian.cn 作者:億金電子 2019年09月19
         電路中的外部32.768KHZ晶體振蕩器布局
         1.簡介
         本文檔描述了與Si4700/01/02/03一起使用的外部32.768KHz振蕩器電路.它提供了必需的組件,原理圖和建議的布局指南.下面跟億金電子一起了解.
         2.振蕩器電路描述
         該電路使用無緩沖逆變器,四個外部電阻,兩個電容和一個32.768KHz晶振.
         3.原理圖和物料清單
         圖1顯示了外部石英晶體振蕩器電路原理圖.表1顯示了具有組件值的物料清單,供應商和描述.
        圖1. 32.768KHz晶體振蕩器電路原理圖
        3.1.原理圖說明
        電阻器R3和R4限制了無緩沖逆變器的電流驅動能力.這保持了當前當VIO=3.3V時,電路的功耗約為8uA.電阻R2將逆變器偏置為線性操作區域啟動和維持振蕩.為了不超過最大石英晶振功耗,必須控制輸送到晶體的總功率.電阻器    R1在該示例中提供該電流限制電路如圖1所示并經過調整,以確保ECS-.327-12.5-13的1uW功率限制不是超標.對于不同的石英貼片晶體檢查數據表,以確保最大功耗不是超標.電容器C1和C2為所需的晶體振蕩提供所需的負載電容頻率為32.768KHz.
        3.2.材料清單
       4.布局建議
       逆變器的輸入是高阻抗節點,對噪聲敏感.因此,應特別小心用于將電路的這部分與數字信號或其他噪聲源隔離開來.通過a圍繞此節點建議使用地面軌跡或平面.圖2顯示了電路的敏感部分,圖3顯示了使用接地填充進行隔離的示例從數字信號輸入逆變器.
        圖2.突出顯示噪聲敏感區域的32.768kHz晶體振蕩器電路
        圖3.示例布局顯示使用地面填充以最小化噪聲
        Silicon晶振公司旨在為客戶提供高品質,高性能,低功耗的石英晶體振蕩器,SMD晶振產品,以及提供有關系統和軟件實施者可用的所有外圍設備,模塊等.億金電子代理Silicon晶振,為廣大用戶提供各種封裝尺寸,保證全新原裝,咨詢熱線0755-27876565.

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